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可控硅动态关断时间测试仪 上海国家电网测试

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发表于 2023-4-26 11:23:28 | 显示全部楼层 |阅读模式
可控硅动态关断时间测试仪主要完成功率器件的开通特性、关断特性以及极限关断特性参数的测试。
本技术规格书ZY-Eon适用于IGCT功率半导体标准动态特性测试台(下面简称测试台),规定了测试台的主要技术要求,参数范围,操作流程,试验方法及检验规则等。
本技术规范并未对一切技术细节做出规定,所提供的货物应符合工业标准和本技术规范中所提要求。
[url=]1.        引用标准[/url][滨1]
GB/T 15291-2015 半导体器件 第6部分:晶闸管
JB/T 7624-2013 整流二极管测试方法
JB/T 7626-2013 反向阻断三极晶闸管测试方法
以及国标、IEC、IEEE相关标准,以上标准均执行zuixin版本。如本技术规范与上述各标准之间有矛盾,则应满足较高标准。

2.        技术要求
  
序号
  
项目
参数
备注
1            
常规开通
通态电流
范围:200-10000A,连续可调;
主电容电压
范围:300-7000V,连续可调;
zui大导通电流宽度设定范围
10μs-5ms
上升时间测量范围
0.01-20μs±3%±0.05μs
开通反馈延迟时间测量范围
0.01-20μs±3%±0.05μs
开通延迟时间测量范围
0.01-20μs±3%±0.05μs
开通能量测量范围
0.01-200J±3%±0.1J
开通di/dt测量范围
10-5000A/μs±3%±10A/μs
2            
常规关断
zui大关断电流
范围:200-10000A,连续可调;
关断反馈延迟时间测量范围
0.01-20μs±3%±0.05μs
关断延迟时间测量范围
0.01-40μs±3%±0.05μs
关断能量测量范围
0.01-1000J±3%±0.1J
断态电压上升率测量范围
10-5000V/μs±3%±10V/μs
断态电流下降率测量范围
10-10000A/μs±3%±10A/μs
*主回路寄生电感
≤300nH
3            
极限关断
zui大关断电流
范围:<20000A
设备能力
4            
数据采集和处理单元
示波器
带宽不低于500MHz,采样率不低于6.5Gs/s
试品控制方式
光纤控制
2.1.        自动恒温压力夹具
  
序号
  
项目
参数
备注
1
工作方式
自动,气动
2
压力范围
10~130KN;分辨率0.1 KN,精度±5%±1KN。
3
温度控制范围
70~180℃,分辨率0.1℃;
   
高压阳极控温器采用非接触式测温
可控硅静态参数测试系统.jpg IGBT测试设备.jpg





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