可控硅动态关断时间测试仪 上海国家电网测试

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可控硅动态关断时间测试仪主要完成功率器件的开通特性、关断特性以及极限关断特性参数的测试。

本技术规格书ZY-Eon适用于IGCT功率半导体标准动态特性测试台（下面简称测试台），规定了测试台的主要技术要求，参数范围，操作流程，试验方法及检验规则等。

本技术规范并未对一切技术细节做出规定，所提供的货物应符合工业标准和本技术规范中所提要求。

[url=]1.        引用标准[/url][滨1]

GB/T 15291-2015 半导体器件 第6部分：晶闸管

JB/T 7624-2013 整流二极管测试方法

JB/T 7626-2013 反向阻断三极晶闸管测试方法

以及国标、IEC、IEEE相关标准，以上标准均执行zuixin版本。如本技术规范与上述各标准之间有矛盾，则应满足较高标准。

2.        技术要求

序号	项目		参数	备注
1	常规开通	通态电流	范围：200-10000A，连续可调；
		主电容电压	范围：300-7000V，连续可调；
		zui大导通电流宽度设定范围	10μs-5ms
		上升时间测量范围	0.01-20μs±3%±0.05μs
		开通反馈延迟时间测量范围	0.01-20μs±3%±0.05μs
		开通延迟时间测量范围	0.01-20μs±3%±0.05μs
		开通能量测量范围	0.01-200J±3%±0.1J
		开通di/dt测量范围	10-5000A/μs±3%±10A/μs
2	常规关断	zui大关断电流	范围：200-10000A，连续可调；
		关断反馈延迟时间测量范围	0.01-20μs±3%±0.05μs
		关断延迟时间测量范围	0.01-40μs±3%±0.05μs
		关断能量测量范围	0.01-1000J±3%±0.1J
		断态电压上升率测量范围	10-5000V/μs±3%±10V/μs
		断态电流下降率测量范围	10-10000A/μs±3%±10A/μs
		*主回路寄生电感	≤300nH
3	极限关断	zui大关断电流	范围：＜20000A；	设备能力
4	数据采集和处理单元	示波器	带宽不低于500MHz，采样率不低于6.5Gs/s
		试品控制方式	光纤控制

2.1.        自动恒温压力夹具

序号	项目	参数	备注
1	工作方式	自动，气动
2	压力范围	10～130KN；分辨率0.1 KN，精度±5%±1KN。
3	温度控制范围	70～180℃，分辨率0.1℃；	高压阳极控温器采用非接触式测温