可控硅反向恢复测试仪 重庆科研院所测试

zhiying2021

可控硅反向恢复测试仪主要完成功率器件在高di/dt下反向恢复特性参数的测试。

4.2主回路参数

序号	项目	指标范围	分辨率	误差范围	备注
1	直流电源	100V~4000V连续	10V	±3%±10V	DC
2	支撑电容	≥5mF		±5%±5uF	C
3	Didt调节电感	0.5uH~1uH~2uH；分3档手动调节		±5%
4	电流采集(I1)	CWT30B			6000A
5	电压采集(v+/v-)	TEKP6015A			20KV
6	过流保护(I2)	CP9600LF
7	负载电感	分档：50uH/100uH/200uH/500uH
8	R/C	IGCT吸收电阻
9	IGCT器件（Q1）	满足电压和电流量程

4.3测试参数

序号	参数	测试范围	精度	备注
1	-di/dt	200 ~5000A/us	±3%
2	VR	0-4000V	±3%
3	IF	200-5000A	±3%
4	IRR	0~5000A	±3%

注： 以上参数能够同时实现并独立可调同时能够测试反向恢复电荷Qrr、Qra，反向恢复电流IRM、反向恢复时间trr、ta，tb，s（软度因子），恢复能量Eoff。

4.4自动恒温压力夹具

序号	项目	参数	备注
1	工作方式	自动
2	压力范围	10～130KN分辨率0.1 KN；精度±5%
3	温度控制范围	70～180℃，分辨率0.1℃	高压阳极控温器采用非接触式测温