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可控硅反向恢复测试仪 重庆科研院所测试

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zhiying2021

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发表于 2023-4-26 10:58:15 | 显示全部楼层 |阅读模式
可控硅反向恢复测试仪主要完成功率器件在高di/dt下反向恢复特性参数的测试。
4.2主回路参数
  
序号
  
项目
指标范围
分辨率
误差范围
备注
1
直流电源
100V~4000V连续
10V
±3%±10V
DC
2
支撑电容
≥5mF
±5%±5uF
C
3
Didt调节电感
0.5uH~1uH~2uH；分3档手动调节
±5%
4
电流采集(I1)
CWT30B
6000A
5
电压采集(v+/v-)
TEKP6015A
20KV
6
过流保护(I2)
CP9600LF
7
负载电感
分档：50uH/100uH/200uH/500uH
8
R/C
IGCT吸收电阻
9
IGCT器件（Q1）
满足电压和电流量程
4.3测试参数
  
序号
  
参数
测试范围
精度
备注
1
-di/dt
200 ~5000A/us
±3%
2
VR
0-4000V
±3%
3
IF
200-5000A
±3%
4
IRR
0~5000A
    ±3%
注： 以上参数能够同时实现并独立可调同时能够测试反向恢复电荷Qrr、Qra，反向恢复电流IRM、反向恢复时间trr、ta，tb，s（软度因子），恢复能量Eoff。
4.4自动恒温压力夹具
  
序号
  
项目
参数
备注
1
    工作方式
自动
2
压力范围
10～130KN分辨率0.1 KN；精度±5%
3
温度控制范围
70～180℃，分辨率0.1℃
高压阳极控温器采用非接触式测温
1.jpg IGBT测试设备.jpg
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