可控硅反向恢复测试系统 上海国家电网检测
可控硅反向恢复测试系统主要完成功率器件在高di/dt下反向恢复特性参数的测试。4.2主回路参数序号项目指标范围分辨率误差范围备注
1直流电源100V~4000V连续10V±3%±10VDC
2支撑电容≥5mF ±5%±5uFC
3Didt调节电感0.5uH~1uH~2uH；分3档手动调节 ±5%
4电流采集(I1)CWT30B 6000A
5电压采集(v+/v-)TEKP6015A 20KV
6过流保护(I2)CP9600LF
7负载电感分档：50uH/100uH/200uH/500uH
8R/CIGCT吸收电阻
9IGCT器件（Q1）满足电压和电流量程
4.3测试参数
序号参数测试范围精度备注
1-di/dt200 ~5000A/us±3%
2VR0-4000V±3%
3IF200-5000A±3%
4IRR0~5000A ±3%
注： 以上参数能够同时实现并独立可调同时能够测试反向恢复电荷Qrr、Qra，反向恢复电流IRM、反向恢复时间trr、ta，tb，s（软度因子），恢复能量Eoff。4.4自动恒温压力夹具
序号项目参数备注
1 工作方式自动
2压力范围10～130KN分辨率0.1 KN；精度±5%
3温度控制范围70～180℃，分辨率0.1℃高压阳极控温器采用非接触式测温
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