可控硅反向恢复测试设备 北京半导体器件研发
本帖最后由 zhiying2021 于 2023-4-15 14:48 编辑可控硅反向恢复测试设备可控硅反向恢复测试设备主要完成功率器件在高di/dt下反向恢复特性参数的测试。4.2主回路参数
序号项目指标范围分辨率误差范围备注
1直流电源100V~4000V连续10V±3%±10VDC
2支撑电容≥5mF
±5%±5uFC
3Didt调节电感0.5uH~1uH~2uH；分3档手动调节
±5%
4电流采集(I1)CWT30B
6000A
5电压采集(v+/v-)TEKP6015A
20KV
6过流保护(I2)CP9600LF
7负载电感分档：50uH/100uH/200uH/500uH
8R/CIGCT吸收电阻
9IGCT器件（Q1）满足电压和电流量程
4.3测试参数
序号参数测试范围精度备注
1-di/dt200 ~5000A/us±3%
2VR0-4000V±3%
3IF200-5000A±3%
4IRR0~5000A ±3%
注： 以上参数能够同时实现并独立可调同时能够测试反向恢复电荷Qrr、Qra，反向恢复电流IRM、反向恢复时间trr、ta，tb，s（软度因子），恢复能量Eoff。4.4自动恒温压力夹具
序号项目参数备注
1 工作方式自动
2压力范围10～130KN分辨率0.1 KN；精度±5%
3温度控制范围70～180℃，分辨率0.1℃高压阳极控温器采用非接触式测温
页:
[1]